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氧化鋅壓敏電阻器的參數(shù)選擇

根據(jù)被保護(hù)電源電壓選擇壓敏電阻器的規(guī)定電流下的電壓V1mA。一般選擇原則為：

對(duì)于直流回路：V1mA≥2.0VDC

對(duì)于交流回路：V1mA≥2.2V有效值

如果電器設(shè)備耐壓水平Vo較低，而浪涌能量又比較大，則可選擇壓敏電壓V1mA較低、片徑較大的壓敏電阻器；如果Vo較高，則可選擇壓敏電壓V1mA較高的壓敏電阻器，這樣既可以保護(hù)電器設(shè)備，又能延長(zhǎng)壓敏電阻使用壽命。

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晶粒邊界到晶粒的電位陡降發(fā)生在≈５０￣１００ｎｍ　的距離內(nèi)，稱(chēng)為耗盡層。這樣， 在每個(gè)晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側(cè)延展入相鄰晶粒 的耗盡層。晶粒間存在耗盡層提高了壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側(cè)兩個(gè)耗盡層的存在，使得　 ＺｎＯ　 壓敏電 阻對(duì)極性變化不敏感。在這一方面，壓敏電阻像一個(gè)背對(duì) 背的二極管。進(jìn)一步說(shuō)，由于晶粒邊界附近區(qū)域的電子被 耗盡，當(dāng)施加外電壓時(shí)，跨在晶粒邊界上出現(xiàn)一電壓降。 這被稱(chēng)作勢(shì)壘電勢(shì)，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒邊界）。

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電壓溫度系數(shù)TC

電壓溫度系數(shù)指在規(guī)定的溫度范圍（溫度范圍為20℃～70℃）內(nèi)，壓敏電阻器標(biāo)稱(chēng)電壓的變化率，即在通過(guò)壓敏電阻器的電流保持恒定時(shí)，溫度改變1°C時(shí)，壓敏電阻器兩端電壓的相對(duì)變化。嚴(yán)格說(shuō)，電壓溫度系數(shù)不是一個(gè)常數(shù)，在不同溫度下，T值是不同的，不過(guò)通常不需要給出TC與溫度的關(guān)系曲線(xiàn)。

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